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IXYS可控硅的產品結構

日期:2025-12-13 01:05
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摘要:



      IXYS可控硅使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極:第壹層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管壹樣是壹種單方向導電的器件,關鍵是多了壹個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
以矽單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始於1957年,因為它的特性類似於真空閘流管,所以國際上通稱為矽晶體閘流管,簡稱晶閘管T,又因為晶閘管*初的在靜止整流方面,所以又被稱之為矽可控整流元件,簡稱為可控矽SCR.在性能上,可控矽不僅具有單向導電性,而且還具有比矽整流元件(俗稱"死矽")更為可貴的可控性.它只有導通和關斷兩種狀態.
     IXYS可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用.可控矽的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等.
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京公網安備 11010802026078號

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