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FERRAZ熔斷器的工作原理 利用金屬導(dǎo)體作為熔體串聯(lián)于電路中，當(dāng)過載或短路電流通過熔體時(shí)，因其自身發(fā)熱而熔斷，從而分?jǐn)嚯娐返囊环N電器。FERRAZ熔斷器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，廣泛用于電力系統(tǒng)、各種電工設(shè)備和家用電器中作為保護(hù)器件。FERR...發(fā)布時(shí)間：2017-06-30 點(diǎn)擊次數(shù)：1252 次
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西門康IGBT的保護(hù)模式 眾所周知，西門康IGBT是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就會(huì)...發(fā)布時(shí)間：2017-06-20 點(diǎn)擊次數(shù)：1379 次
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FERRAZ熔斷器的分類介紹 FERRAZ熔斷器根據(jù)使用電壓可分為高壓熔斷器和低壓熔斷器。 根據(jù)保護(hù)對(duì)象可分為保護(hù)變壓器用和一般電氣設(shè)備用的熔斷器、保護(hù)電壓互感器的熔斷器、保護(hù)電力電容器的熔斷器、保護(hù)半導(dǎo)體元件的熔斷器、保護(hù)電動(dòng)機(jī)的熔...發(fā)布時(shí)間：2017-06-12 點(diǎn)擊次數(shù)：4640 次
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IGBT模塊的使用和安裝 IGBT模塊的用于和裝置 IGBT是絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合器件。IGBT將MOSFET與GTR的優(yōu)...發(fā)布時(shí)間：2017-06-01 點(diǎn)擊次數(shù)：1671 次
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IGBT模塊故障維修實(shí)況 某一抽油機(jī)變頻器設(shè)備，是1140v/30kw抽油機(jī)專用變頻器，運(yùn)行過程中中間一相IGBT模塊處被燒黑，其上母線尖峰吸收電容(3μf/1200v無感電容兩只串聯(lián)再并聯(lián))一個(gè)腿被打斷，不能正常運(yùn)行。故障現(xiàn)象某...發(fā)布時(shí)間：2017-05-23 點(diǎn)擊次數(shù)：1579 次
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ABB可控硅的作用及應(yīng)用 ABB可控硅5STP系列普通晶閘管其規(guī)格型號(hào)近百種，可滿足大功率的工業(yè)生產(chǎn)，電氣傳動(dòng)領(lǐng)域的需要，尤其在電力系統(tǒng)中，這些元件廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、功率勵(lì)磁柜,整流柜,充電機(jī),同步電動(dòng)機(jī)勵(lì)磁整流柜...發(fā)布時(shí)間：2017-05-15 點(diǎn)擊次數(shù)：1659 次
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IGBT模塊的注意事項(xiàng) IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標(biāo)的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡(jiǎn)化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡(jiǎn)化調(diào)試工作等，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系，所...發(fā)布時(shí)間：2017-05-05 點(diǎn)擊次數(shù)：929 次
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ABB可控硅的晶閘管特點(diǎn) 為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正...發(fā)布時(shí)間：2017-04-24 點(diǎn)擊次數(shù)：935 次
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IGBT模塊在現(xiàn)代電子技術(shù)中得到廣泛應(yīng)用 IGBT模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降...發(fā)布時(shí)間：2017-04-11 點(diǎn)擊次數(shù)：791 次
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西門康IGBT保管時(shí)的注意事項(xiàng) 西門康IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。非常適合...發(fā)布時(shí)間：2017-03-28 點(diǎn)擊次數(shù)：704 次
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熔斷器使用維修有哪些方面 熔斷器使用維修：1、熔體熔斷時(shí)，要認(rèn)真分析熔斷的原因，可能的原因有： 1）短路故障或過載運(yùn)行而正常熔斷； 2）熔體使用時(shí)間過久，熔體因受氧化或運(yùn)行中溫度高，使熔體特性變化而誤斷； 3）熔體安裝時(shí)有機(jī)械損傷...發(fā)布時(shí)間：2017-03-20 點(diǎn)擊次數(shù)：756 次
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INFINEON模塊的產(chǎn)品簡(jiǎn)述 INFINEON雙極功率模塊解決高性價(jià)比應(yīng)用的具體需求。這種新型PowerBlock模塊進(jìn)一步擴(kuò)大了INFINEON(IFNNY)此前僅采用壓力接觸技術(shù)的**功率模塊產(chǎn)品組合。 INFINEON(IFN...發(fā)布時(shí)間：2017-03-03 點(diǎn)擊次數(shù)：772 次
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西門康IGBT的現(xiàn)狀分析 國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求急劇上升曾使得西門康IGBT市場(chǎng)一度被看好。雖然長(zhǎng)期來看，IGBT是一個(gè)值得期待的市場(chǎng)，可是到目前為止IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，本土廠商想要打破國(guó)外企業(yè)對(duì)國(guó)...發(fā)布時(shí)間：2017-02-23 點(diǎn)擊次數(shù)：775 次
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IGBT模塊的使用環(huán)境要求 在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，*好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱**時(shí)將導(dǎo)致...發(fā)布時(shí)間：2017-02-14 點(diǎn)擊次數(shù)：915 次
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IGBT模塊的靜態(tài)特性主要有哪些？ IGBT模塊的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。 IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與...發(fā)布時(shí)間：2017-02-06 點(diǎn)擊次數(shù)：749 次
