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IGBT模塊的常識
日期：2025-12-16 05:36
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摘要：
IGBT管是絕緣柵雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的簡稱，它是80年代初誕生，90年代迅速發展起來的新型復合電力電子器件IGBT管是由MOSFET場效應晶體管和BJT雙極型晶體管復合而成的，其輸入級為MOSFET，輸出級為PNP型大功率三極管，它融和了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件輸入阻抗高 響應速度快 熱穩定性好和驅動電路簡單的優點，又具有雙極型器件通態電壓低 耐壓高和輸出電流大的優點，其頻率特性介于MOS-FET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、**率應用中占據了主導地位IGBT管的開通和關斷是由柵極電壓來控制IGBT管的。當柵極加正電壓時，OSFET內形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT管導通，此時高耐壓的IGBT管也具有低的通態壓降 在柵極上加負電壓時，MOSFET內的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT管即關斷 IGBT管與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極發射極間施加十幾伏的直流電壓，只有微安級的漏電流，基本上不消耗功率，顯示了輸入阻抗大的優點。
二、IGBT管的代換
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態，工作頻率較高，發熱量大，因此其故障率較高，又由于其價格較高，故代換IGBT管時，應遵循以下原則：首先，盡量用原型號的代換，這樣不僅利于固定安裝，也比較簡便 其次，如果沒有相同型號的管子，可用參數相近的IGBT管來代換，一般是用額定電流較大的管子代替額定電流較小的，用高耐壓的代替低耐壓的，如果參數已經磨掉，可根據其額定功率來代換。
三、IGBT管的保存
保存半導體元件的場合溫度與濕度應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大 一般地，常溫規定為5~35攝氏度 ，常濕規定為45％~75％ 在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕裝IGBT管模塊的容器，應選用不帶靜電的容器并盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方。
二、IGBT管的代換
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態，工作頻率較高，發熱量大，因此其故障率較高，又由于其價格較高，故代換IGBT管時，應遵循以下原則：首先，盡量用原型號的代換，這樣不僅利于固定安裝，也比較簡便 其次，如果沒有相同型號的管子，可用參數相近的IGBT管來代換，一般是用額定電流較大的管子代替額定電流較小的，用高耐壓的代替低耐壓的，如果參數已經磨掉，可根據其額定功率來代換。
三、IGBT管的保存
保存半導體元件的場合溫度與濕度應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大 一般地，常溫規定為5~35攝氏度 ，常濕規定為45％~75％ 在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕裝IGBT管模塊的容器，應選用不帶靜電的容器并盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方。
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