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IGBT模塊的傳統保護模式
日期：2025-12-16 15:25
瀏覽次數：849
摘要：
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
防護方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設置一些保護元件，電阻RGE的作用，是使柵極積累電荷泄放(其阻值可取5kΩ);兩個反向串聯的穩壓二極管V1和V2，是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。另外，還有實現控制電路部分與被驅動的IGBT模塊之間的隔離設計，以及設計適合柵極的驅動脈沖電路等。然而即使這樣，在實際使用的工業環境中，以上方案仍然具有比較高的產品失效率——有時甚至會超出5%。相關的實驗數據和研究表明：這和瞬態浪涌、靜電及高頻電子干擾有著緊密的關系，而穩壓管在此的響應時間和耐電流能力遠遠不足，從
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